| 可靠性应力 | 二极管电压 | 样品 | #样品 ≥≥1500小时 | 设备小时 |
| H3TRB | 650V | 2015 | 1935 | 3,840,000 |
| 1200V | 1405 | 1230 | 1,990,000 | |
| 1700V | 640 | 240 | 1,000,000 | |
| HTRB | 650V | 2175 | 1440 | 6,105,760 |
| 1200V | 2104 | 1300 | 2,850,000 | |
| 1700V | 800 | 240 | 1,200,000 | |
| HTSL | 650V | 160 | - | 160,000 |
| 1200V | 91 | - | 91,000 | |
| UHAST | 1200V | 240 | - | 23,040 |
| 可靠性应力 | 二极管电压 | 样品 | 器件周期 | |
| 可靠性应力温度循环 | 650V | 825 | 830,000 | |
| 1200V | 782 | 484,000 | ||
| 1700V | 60 | 60,000 | ||
| IOL | 650V | 800 | 2,400,000 | |
| 1200V | 240 | 720,000 |
远超JEDEC标准
高功率半导体应用时的环境极端苛刻，这就要求严格的可靠性测试，这远远超出了典型的JEDEC工业要求。在电压、温度、湿度和压力高于最终客户应用中预期的各种压力测试下，SemiQ对产品进行了可靠性鉴定。在这些恶劣条件下进行的可靠性鉴定，其目的是与使用条件相比，以更快的方式让器件发生故障。分析故障，寻找改进机会，从而提高可靠性。SemiQ在产品鉴定期间积累了所有产品的可靠性数据， 并将测试时间延长，远远超过标准规定的的1000小时鉴定时间，使客户对我们的产品更加放心。可靠性测试的简要说明如下。
测试说明
高温反向偏压（HTRB）–JESD22 A108
高温反向偏压测试是为了评估器件在高温和高阻断电压下的长期可靠性。器件的肖特基界面和边缘终止区域有可能会在长时间的高温和高电场作用下失效。
高湿度高温反向偏压（H3TRB）–JESD22 A101
H3TRB测试用于评估封装器件在高湿度环境中的运行能力。用高温高湿的環境加速水分通过模塑化合物，找出内部腐蚀，氧化和短路这些湿度失效模式。
无偏压高加速应力测试（uHAST）–JESD22 A118
UHAST测试用于评估封装器件的防潮能力。该测试在无偏压和高气压两种情况下进行，以对器件进行机械评估。该测试可大大加快水分通过封装模塑化合物或者各个界面的速度。
温度循环（TC）–JESD22 A104
温度循环测试是为了评估一个器件对电的或机械故障的抵抗力，这种故障是由环境变化引起，由器件中不同材料的热膨胀系数差造成的。该测试循环极端的温度变化，加速由于不同材料界面处产生的热机械应力而导致的损伤。
间歇性工作寿命（IOL）–MIL STD 750，方法1037
间歇性工作寿命测试是为了评估器件对由内部功耗引起的热机械故障的抵抗力。这类似于温度循环，器件由于电操作产生自加热，导致温度发生变化。
高温储存（HTS）–JESD22 A103
进行高温存储测试是为了评估器件对存储条件的抵抗力，通常是时间和温度对存储中无偏压器件的影响。